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集成80個HBM 4,臺積電封裝:瘋狂炫技

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公衆號記得加星標??,第一時間看推送不會錯過。來源:內容編譯自zdnet。臺灣晶圓代工廠臺積電(TSMC)因其尖端封裝技術的進步而備受矚目,該技術瞄準了下一代AI半導體市場。據悉,爲了順應AI半導體向更高性能和更大面積發展的趨勢,臺積電已設計出一款高達80 HBM4(第六代高帶寬存儲器)的產品。據業界消息人士12日透露,臺積電上月末在美國德克薩斯州舉行的“ECTC 2025(電子元件技術會議)”上公佈了其用於超大型AI半導體的“晶圓系統(SoW-X)”的具體結構。SoW-X是臺積電計劃於2027年量產的新一代封裝技術,預計將應用於GPU、CPU等高性能系統半導體,以及整合HBM的AI半導體。SoW-X的關鍵在於直接連接晶圓上的存儲器和系統半導體,而無需使用現有封裝工藝中使用的基板(PCB)或硅中介層(插入芯片和基板之間的薄膜)。各個芯片之間的連接,是通過在芯片底部形成的精細銅重分佈層(RDL)來實現的。此時,RDL延伸到了芯片外部,臺積電稱之爲InFO(Integrated Fan-Out)。由於SoW-X利用了整片晶圓,因此可以生產超大尺寸的AI半導體。根據臺積電公佈的數據,SoW-X集成了多達16個高性能計算芯片和80個HBM4模塊。這使得總內存容量達到3.75 TB(兆兆字節),帶寬達到160 TB/s。此外,與使用相同數量計算芯片的現有AI半導體集羣相比,SoW-X可降低17%的功耗,並提高46%的性能。臺積電解釋說:“由於每個芯片之間具有出色的連接性和低功耗,SoW-X 的每瓦(W)整體性能比現有的 AI 半導體集羣提高了約 1.7 倍。” 該公司補充道:“通過集成更多的系統半導體和 HBM,系統功率效率得到提高,並且可以消除現有基板連接的困難。”臺積電評價SoW-X是超越業界標準的創新技術平臺,並宣佈將瞄準下一代高性能計算和AI產業。不過,也有人指出,SoW-X 技術短期內不會對 AI 內存市場產生重大影響。這是因爲,儘管 HBM 負載高達 80%,但目前對超大容量 AI 半導體的需求有限。事實上,SoW-X 的前身 SoW 於 2020 年推出,目前僅有少數客戶採用其進行量產,其中包括特斯拉和 Cerebras。一位半導體業內人士表示:“與特斯拉超級計算‘Dojo’專用的‘D1’芯片一樣,SoW-X 作爲一項完全定製芯片技術,適合利基市場。由於涉及的芯片數量衆多,技術難度極高,很難立即取代流行的 AI 半導體封裝技術。”https://zdnet.co.kr/view/?no=20250612090124*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4064期內容,歡迎關注。加星標??第一時間看推送,小號防走丟求推薦


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